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項目用地位于江蘇省無錫市新區長江路以西、香山路以北，可建設用地面積約23898平方米。基地地形平坦，呈長方形，南東約40度，南北方向約130米，東西方向約180米。東側為10米市政綠帶，同時東側規劃有城市地下軌道交通線及站點。長江路寬46m，香山路寬14m，圍墻后退長江路10m，后退香山路5m。沿長江路、香山路可開設機動車出入口，且機動車出入口距離道路交叉口距離不小于80m。距離東北側邊界約27m有軌道交通控制線，該范圍基地內不得建造建筑物。各方向退界要求詳見總平面退界控制線。設計內容：為二級綜合醫院分二次建設。本次建設44380平方米，包括一棟門急診醫技住院大樓（地上七層，地下一層）、地下車

本項目名稱為未來匯，主要建筑功能為商業、辦公等。總建筑面積54288平方米，其中地上建筑面積38347平方米，地下建筑面積15941平方米。本工程設計標高±0.000相當于黃海高程68.660m，建筑物室內外高差為0.15m，本工程地下三層為核6常6人防地下室

項目名稱：南通市唐閘古鎮—一八九五園區周邊建筑修繕改造項目建設地點：南通市唐閘古鎮—一八九五園區周邊—北市街沿街本項目為北市街沿街原有清末木構建筑（A-C號建筑）及建過以后按照前面式樣仿建的混凝土建筑（D、E號建筑）修繕。建筑包括北市街沿街A-E號建筑。主要技術經濟指標：AB號建筑面積平方米709平方米，地上二層，建筑高度9.200米(入口地面至屋脊)，屋面防水等級二級結構設計使用年限為50年，木結構體系，抗震設防烈度7度。C號建筑面積平方米478平方米，地上二層，建筑高度9.310米(入口地面至屋脊)，屋面防水等級二級結構設計使用年限為50年，木結構體系，抗震設防烈度7度。

本項目位于無錫新吳區，是一家高科技集成電路芯片代工企業。華虹半導體（無錫）有限公司華虹無錫項目地點為：無錫市新吳區錫興路以東、新洲路以南、312國道以西地塊，本項目擬新建一條半導體生產線，主要從事非揮發性存儲器、先進射頻技術、高端電源管理等相關超大規模集成電路芯片制造。

本工程位于徐州市云龍區城東大道以南，三環東路以東，地上建筑面積：約49622.65㎡， 地下一層建筑面積約：10025.50㎡，B1~4層為商業，5~6層局部為全自動室內停車，5~6層局部及6層以上為辦公（其中B1層局部設有配套設備用房）。建筑高度為：98.45米。建筑層數為地上20層。